ਦਾ ਆਪਟੀਕਲ ਪਾਸ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਅਨੁਪਾਤਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲੈਂਪਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲਾਈਟਾਂ ਦੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤਕਨੀਕੀ ਸੂਚਕਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ।ਚੀਨ ਵਿੱਚ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲਾਈਟਾਂ ਦੀ ਵੱਧਦੀ ਮੰਗ ਅਤੇ ਤਕਨੀਕੀ ਪੱਧਰ ਦੇ ਨਿਰੰਤਰ ਸੁਧਾਰ ਦੇ ਨਾਲ, ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲਾਈਟਾਂ ਦਾ ਆਪਟੀਕਲ ਪਾਸ ਮੇਨਟੇਨੈਂਸ ਅਨੁਪਾਤ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੁੰਦਾ ਜਾ ਰਿਹਾ ਹੈ.ਇਹ ਪੇਪਰ ਇਸਦੇ ਡੂੰਘਾਈ ਨਾਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਅਤੇ ਖੋਜ ਦੀ ਵਿਧੀ ਅਤੇ ਅਭਿਆਸ 'ਤੇ ਕੇਂਦ੍ਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਇੱਕ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲਾਈਟ ਪਾਸ ਦਾ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ
ਭਰਨ ਦੀ ਲੜੀ ਮੈਟਲ halide, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸ਼ਕਤੀ, ਮੈਟਲ halide ਦੀਵੇ ਦੀ ਬਣਤਰ ਦੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਆਪਟਿਕ ਬਣਾਈ ਰੱਖਣ ਦੀ ਦਰ ਕਰਵ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਹੈ, ਅਜਿਹੇ ਦੀਵੇ ਇਗਨੀਸ਼ਨ (ਦੋ ਸੌ ਘੰਟੇ) ਦੇ ਸ਼ੁਰੂ 'ਤੇ ਧਾਤ halide ਲੈਂਪ ਫੜਨ ਦੇ ਇੱਕ ਜੋੜੇ ਨੂੰ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ. ਇੱਕ ︿ ਪ੍ਰਵਾਹ ਗਿਰਾਵਟ ਦੇ ਘੰਟੇ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ, ਚਮਕਦਾਰ ਪ੍ਰਵਾਹ ਗਿਰਾਵਟ ਨੂੰ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਿਤ ਕਰਨਾ ਜਾਰੀ ਰੱਖੋ ਹੋਰ ਨਿਰਵਿਘਨ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਲਾਈਟ-ਪਾਸ ਮੇਨਟੇਨੈਂਸ ਕਰਵ ਦੇ ਨਾਲ ਕੁਝ ਮੈਟਲ ਹੈਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲੈਂਪ ਵੀ ਹਨ, ਅਤੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਬਿੰਦੂ 'ਤੇ ਰੌਸ਼ਨੀ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੀ ਗਿਰਾਵਟ ਦੀ ਦਰ ਅਸਲ ਵਿੱਚ ਬਾਅਦ ਦੇ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਪੁਆਇੰਟ ਦੇ ਸਮਾਨ ਹੈ।ਉਪਰੋਕਤ ਅੰਤਰ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਬਿੰਦੂ ਦੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਅਤੇ ਦੇਰ ਦੇ ਸਮੇਂ ਵਿੱਚ ਰੌਸ਼ਨੀ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਘਟਣ ਦੇ ਸਮਾਨ ਪਰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕਾਰਨਾਂ ਕਰਕੇ ਹਨ।ਧਾਤੂ ਹੈਲਾਈਡ ਲੈਂਪਾਂ ਦੇ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਪੁਆਇੰਟ ਵਿੱਚ ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਵਿੱਚ ਗਿਰਾਵਟ ਦੇ ਕਾਰਨਾਂ ਦਾ ਹੋਰ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕਰਨ ਲਈ, ਦੀਵਿਆਂ ਦੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਅਤੇ ਦੇਰ ਨਾਲ ਬਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ ਵਿੱਚ ਰੌਸ਼ਨੀ ਦੇ ਸੜਨ ਦੀ ਵਿਧੀ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਲਾਈਟ ਪਾਸ ਦੇ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਸੁਧਾਰਿਆ ਜਾ ਸਕੇ। ਦੀਵੇ ਦੀ ਦਰ.
ਸਭ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ, ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਬਿੰਦੂ 'ਤੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੀ ਗਿਰਾਵਟ ਦੀ ਵਿਧੀ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਇੱਕ ਖਾਸ ਦੀ ਚਾਪ ਟਿਊਬਮੈਟਲ halide ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲੈਂਪਸ਼ਾਮਲ ਹਨ: ਕੁਆਰਟਜ਼ ਬੁਲਬੁਲਾ ਸ਼ੈੱਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦਾ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਸ਼ਕਲ;ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਐਕਸਟੈਂਸ਼ਨ ਦੀ ਲੰਬਾਈ;ਠੰਡੇ ਅੰਤ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ (ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਕੋਟਿੰਗ ਦਾ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਕੋਟਿੰਗ ਮੋਟਾਈ ਸਮੇਤ);ਭਰੇ ਹੋਏ ਗੋਲਡ ਹੈਲੋਜਨ ਗੋਲੀਆਂ ਅਤੇ ਇਨਪੁਟ ਆਰਕ ਪਾਵਰ ਦੇ ਅਨੁਪਾਤ ਅਤੇ ਖੁਰਾਕ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਆਪਟੀਕਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮੀਟੈਂਸ ਦੀ ਤਬਦੀਲੀ ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਇਸ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ: 1. ਕੁਆਰਟਜ਼ ਬਬਲ ਸ਼ੈੱਲ ਦੇ ਆਪਟੀਕਲ ਟ੍ਰਾਂਸਮੀਟੈਂਸ ਦੀ ਤਬਦੀਲੀ।2. ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨਿਕਾਸੀ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਬਦਲਾਅ (ਕੈਥੋਡ ਸੰਭਾਵੀ ਡ੍ਰੌਪ ਸਮੇਤ)।3. ਧਾਤੂ ਹੈਲਾਈਡ ਲੈਂਪਾਂ ਦੀਆਂ ਚਾਪ ਟਿਊਬਾਂ ਵਿੱਚ ਪਰਮਾਣੂ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਅਤੇ ਚਮਕਦਾਰ ਤੱਤਾਂ (Na, Sc, Dy, Hg–, ਆਦਿ) ਦੀ ਪਰਮਾਣੂ ਵੰਡ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ।
ਵਿੱਚ ਕੁੱਲ ਪਰਮਾਣੂ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਤੀਬਰਤਾ ਦੇ ਬਾਅਦਅੰਡਰਵਾਟਰ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲੈਂਪਚਾਪ ਟਿਊਬ ਉਤੇਜਿਤ ਪਰਮਾਣੂ ਦੀ ਇਕਾਗਰਤਾ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਇਸਦਾ ਸਮੀਕਰਨ ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਅਨੁਸਾਰ ਹੈ:
N¿=No(gk/g,)exp-(eVk/kT)·
ਜਿੱਥੇ N0 ਵੱਖ-ਵੱਖ ਚਮਕਦਾਰ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਪਰਮਾਣੂ ਸੰਘਣਤਾ ਹੈ।Vk ਵੱਖ-ਵੱਖ ਚਮਕਦਾਰ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਉਤੇਜਨਾ ਸੰਭਾਵੀ ਊਰਜਾ ਹੈ।T ਉਹ ਤਾਪਮਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਹਰੇਕ ਤੱਤ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਕਿਉਂਕਿ ਜਦੋਂ ਮੈਟਲ ਹੈਲਾਈਡ ਲੈਂਪ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਪੁਆਇੰਟ 'ਤੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਆਰਕ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਬਿੰਦੂਆਂ 'ਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਇੱਕ ਵੱਡਾ ਅੰਤਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਚਿੱਤਰ 1 2000w ਮੈਟਲ ਹੈਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲੈਂਪ ਦੀ ਚਾਪ ਟਿਊਬ ਦਾ ਆਈਸੋਥਰਮਲ ਕਰਵ ਚਿੱਤਰ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਚਿੱਤਰ 1. ਦਾ ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰੋਫਾਈਲ2000w ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲੈਂਪ.ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਦੂਰੀ 4.2mm ਹੈ ਅਤੇ ਆਈਸੋਥਰਮ ਦੂਰੀ 250K ਹੈ
ਉਪਰੋਕਤ ਸਮੀਕਰਨ ਤੋਂ ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੇ ਆਇਸੋਥਰਮ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਤ ਤੱਤ ਦੇ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦੀ ਇੱਕੋ ਸੰਖਿਆ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਤੀਬਰਤਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਭਾਫ਼ ਦਬਾਅ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਵਿੱਚ NaI, ScI3 ਅਤੇ ਹੋਰ ਧਾਤੂ ਹੈਲਾਈਡ ਅਣੂਆਂ ਦੀ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਚਾਪ ਟਿਊਬ ਦੇ ਠੰਡੇ ਸਿਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਠੰਡੇ ਸਿਰੇ ਦੇ ਨੇੜੇ ਕੁਆਰਟਜ਼ ਟਿਊਬ ਕੰਧ ਨਾਲ ਜੁੜੇ ਤਰਲ ਧਾਤ ਹੈਲਾਈਡ ਸਤਹ ਖੇਤਰ (ਧਾਤੂ ਦੁਆਰਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਹੈਲਾਈਡ ਭਰਨ ਦੀ ਮਾਤਰਾ, ਠੰਡੇ ਅੰਤ ਵਾਲੀ ਸਤਹ ਦੀ ਸ਼ਕਲ ਅਤੇ ਸਥਿਤੀ) ਅਤੇ ਤਰਲ ਧਾਤ ਹੈਲਾਈਡ ਸਤਹ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੀ ਗਤੀ।ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਚਾਪ ਦਾ ਠੰਡਾ ਸਿਰਾ ਪਰਮਾਣੂ ਇਕਾਗਰਤਾ ਅਤੇ ਵੰਡ ਅਵਸਥਾ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰੇਗਾ, ਬੇਸ਼ੱਕ, ਮੈਟਲ ਹੈਲਾਈਡ ਲੈਂਪ ਦੀ ਲੂਮਿਨਿਸੈਂਸ ਤੀਬਰਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਕਰੇਗਾ।ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਪੁਆਇੰਟ ਵਿੱਚ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਫਿਸ਼ਿੰਗ ਲੈਂਪ ਦੇ ਠੰਡੇ ਸਿਰੇ ਦੇ ਨੇੜੇ ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਵੰਡ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਨਾਲ ਦੇਖਣਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਨਹੀਂ ਹੈ।ਇਹ ਪਤਾ ਲਗਾਉਣਾ ਔਖਾ ਨਹੀਂ ਹੈ ਕਿ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਲੈਂਪ ਦੇ ਠੰਡੇ ਸਿਰੇ ਦੇ ਨੇੜੇ ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਵੰਡ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਘੰਟਿਆਂ ਵਿੱਚ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਪੁਆਇੰਟ (ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ Sc-Na ਸੀਰੀਜ਼ ਮੈਟਲ ਹਾਲਾਈਡ ਲੈਂਪ) ਦੇ ਕਈ ਘੰਟਿਆਂ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਬਦਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਇਸਲਈ, ਚਾਪ ਟਿਊਬ ਵਿੱਚ ਪਰਮਾਣੂ ਸੰਘਣਤਾ ਦੀ ਵੰਡ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਬਦਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਧਾਤੂ ਹੈਲਾਈਡ ਲੈਂਪ ਦੇ ਵੱਡੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਸੜਨ ਦੇ ਮੁੱਖ ਕਾਰਨਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਜੂਨ-19-2023